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J-GLOBAL ID：200903009058532722
高熱伝導ペースト半田および半導体デバイス
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996152359
Publication number (International publication number)：1997330941
Application date： Jun. 13, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】ペースト半田の熱伝導および電気抵抗を改善するとともに機械的強度の向上を図る。【解決手段】熱伝導度および電気抵抗が比較的低い半田材料が用いられたペースト半田11に、熱伝導度および電気抵抗が比較的高い粒状の金属12を練り込んで高熱伝導ペースト半田として仕上げる。
Claim (excerpt)：
熱伝導度および電気抵抗が比較的低い半田材料が用いられたペースト半田と、前記ペースト半田に練り込まれた熱伝導度および電気抵抗が比較的高い粒状の金属とを具備することを特徴とする高熱伝導ペースト半田。
IPC (2)：
H01L 21/52
, B23K 35/22 310
H01L 21/52 E
, H01L 21/52 B
, B23K 35/22 310 A
