Pat
J-GLOBAL ID：200903009060885101

半導体装置

Inventor：
矢羽田 正光

About 矢羽田 正光


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261642
Publication number (International publication number)：1993102439
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【構成】本発明をEPROMに用いた場合には、半導体基板11上のビット線用拡散配線領域12と、半導体基板11と拡散配線領域12上のエピタキシャル層14と、エピタキシャル層14上のドレイン拡散領域8、ソース拡散領域9とを設け、拡散配線領域12とドレイン拡散領域8とを電気的に接続する第1の内部コンタクト10aを形成してある。【効果】コンタクト孔は良好な導通を取るために一定の大きさが必要不可欠であるが、配線をエピタキシャル層下に埋め込むことにより、コンタクト孔を減らす、ないしは無くすことができ、集積度を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板表面に形成された一導電型拡散配線領域と、前記拡散配線領域を含む前記半導体基板表面に形成されたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層表面に形成された素子領域と、前記拡散配線領域と前記素子領域とを電気的に接続する内部コンタクトとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90
FI (2)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 21/88 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-294077
  • 特開平2-234473
  • 特開平2-063163
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM