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J-GLOBAL ID：200903009073294005

半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法

Inventor： 小松 和義 ,  成松 治 ,  竹村 康男 ,  武内 洋子
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991340791
Publication number (International publication number)：1993175127
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】本発明により、集積回路が組み込まれた半導体ウェハの表面に、130°Cでの熱収縮率がMD方向、TD方向共に2.0%以下である熱可塑性樹脂よりなる基材フィルムと粘着剤層からなる粘着テープを貼付し、該半導体ウェハの裏面に金属を蒸着する方法が提供される。【効果】本発明によれば、半導体ウェハの表面に金属が付着する事がないので、半導体回路が金属により損傷を受けることがない。さらに、従来の方法のように、レジストインク等を半導体ウェハの表面に塗布する必要がなく、製造工程が簡略化され、かつ、レジストインク等の異物により半導体ウェハの表面が汚染されることもない。

Claim (excerpt)：

集積回路が組み込まれた半導体ウェハの表面に、熱可塑性樹脂よりなる単層フィルム又は複層フィルムからなり、該フィルムの少なくとも一層が130°Cでの熱収縮率がMD方向、TD方向共に2%以下である基材フィルム層と粘着剤層からなる粘着テープを貼付し、該半導体ウェハの裏面に金属を蒸着することを特徴とする半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/04 ,  H01L 21/78