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J-GLOBAL ID：200903009080691915

カルコパイライト薄膜の作製方法

Inventor： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  古曳 重美 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186078
Publication number (International publication number)：1993029361
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 カルコパイライト薄膜の作製方法に関し、成分元素が化学量論比となる組成を有しかつpn伝導形及びキャリア密度を制御することが可能なカルコパイライト薄膜の作製法を提供する。【構成】 基板上に真空蒸着法あるいはスパッタ蒸着法によりカルコパイライト薄膜を堆積する場合に、同時にイオン源5によって生成したイオン・ビームを照射してカルコパイライト薄膜を作製する。または、作製したカルコパイライト薄膜あるいは結晶にイオン注入を行う。

Claim (excerpt)：

結晶または非晶質基板あるいは結晶または非晶質薄膜あるいは金属薄膜上の所定領域に、真空蒸着法あるいはスパッタ蒸着法によりカルコパイライト薄膜を堆積する場合に、同時にイオン・ビームを照射することを特徴とするカルコパイライト薄膜の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/425 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00