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J-GLOBAL ID：200903009082158424

半導体露光装置

Inventor： 梶木 善裕
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182001
Publication number (International publication number)：1994029177
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】レンズ材料の寿命が長く、複雑で大型の高繰り返しレーザを必要としない半導体露光装置を提供すること。【構成】エキシマレーザ1から出た光を、遅延光学系3でレーザ光のパルス幅程度の時間差を有する複数の光束に分割し、合成光学系4によってレチクル5の面で再び合成することにより、複雑で大型の高繰り返しレーザを用いることなく、レンズを透過する光強度を減少させることができ、レンズの長寿命化が図れる。

Claim (excerpt)：

照明光源にエキシマレーザを用い、照明光学系と投影光学系を有する半導体露光装置において、少なくとも、レーザ光を複数の光束に分割して各々の前記光束の光路長に差をつける遅延光学系と、前記遅延光学系を出射した各々の前記光束が再びレチクル面で重なり合うように照明する合成光学系を具備した照明光学系を有することを特徴とする半導体露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 S