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J-GLOBAL ID：200903009121888737

半導体製造装置

Inventor： 小原 啓志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995354322
Publication number (International publication number)：1997186092
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】反応室内圧力を外気圧へ復帰させる時、気流によりパーティクルがウエハに付着することを防止し歩留りおよび信頼性の高い半導体製造装置を提供する。【解決手段】 反応室1と、この反応室1を真空装置に接続する真空配管9とを具備し、前記反応室1内のウエハ5を処理した後、前記反応室1内に不活性ガスを導入して外気圧に復帰させ、前記ウエハ5を取り出すようにした半導体製造装置において、前記反応室1内を減圧側と反応室外部の外気側とを通断する弁本体16と、この弁本体16を閉じるように支持するスプリング17と、前記弁本体16のシール部材18とを備え、前記反応室1内が前記不活性ガスの導入により外気圧に一致すると、前記弁本体16が開いて、減圧側と外気側とを連通させるリリーフ弁14を設けた。

Claim (excerpt)：

反応室と、この反応室を真空装置に接続する真空配管とを具備し、前記反応室内のウエハを処理した後、前記反応室内に不活性ガスを導入して外気圧に復帰させ、前記ウエハを取り出すようにした半導体製造装置において、前記反応室内を含む減圧側と反応室外部の外気側とを通断する弁本体を閉じるように支持するスプリングと、前記弁本体のシール部材とを備え、前記反応室内が前記不活性ガスの導入により外気圧に一致すると、前記弁本体が開いて、減圧側と外気側とを連通させるように構成したリリーフ弁を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 Z