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J-GLOBAL ID：200903009138101331
化学気相成長法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993126943
Publication number (International publication number)：1994338497
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 膜中に水分や炭素成分のない高品位、かつ被膜性の良いシリコンナイトライド及びシリコンオキシナイトライド膜を提供する。【構成】 チャンバー3内を数torr前後の減圧状態にし、成膜に用いる個々のガスは、シャワーヘッド電極4内で混合され、シャワーヘッド電極4からチャンバー3内に導入する。シャワーヘッド電極4及び下部電極1間に高周波電源12により、高周波電圧を加え、シャワーヘッド電極4で混合されたガスを、チャンバー3内でプラズマ化し、化学反応を起して反応中間体を形成する。この反応中間体により、基板2上に被膜性の良い膜を形成する。反応ガスは、ナイトライド膜を形成する際は、トリシリルアミン6とアンモニアガスを用い、オキシナイトライド膜を形成する際は、トリシリルアミン6とアンモニアガスの他に亜酸化窒素(N2O)ガスを用いる。
Claim (excerpt)：
反応ガスをプラズマ化し、化学反応を生じさせて基板上に気相成長膜を成長させる化学気相成長法であって、反応ガスは、少なくともシリコンソースガスとしてシリルアミン化合物を含むものであり、気相成長膜は、シリコンナイトライド膜又はシリコンオキシナイトライド膜であることを特徴とする化学気相成長法。
IPC (3)：
H01L 21/318
, H01L 21/31
, H01L 21/90
