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J-GLOBAL ID：200903009139403145

半導体ウエハー裏面の研削方法

Inventor： 山中 英雄 ,  監物 秀憲 ,  大久保 純三 ,  成松 治 ,  小松 和義
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  三井東圧化学株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991268742
Publication number (International publication number)：1993082492
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 裏面研削後の粘着テープの剥離が容易で、しかも粘着剤の残り等のダストが少なく、その結果ワイヤボンディング不良やパッケージクラック不良がなく、半導体ウエハーの生産及び品質を向上させることが可能な半導体ウエハー裏面の研削方法を提供することである。【構成】 ミラーウエハー上に転着する0.2μm以上の異物量が500個以下/10000mm2 で、かつ該ウエハーに対する粘着力が100〜300g/25mmであるアクリル系樹脂粘着剤をポリプロピレン又はポリエステルとエチレン酢酸ビニル共重合体の複層体よりなる基材フィルムのエチレン酢酸ビニル共重合面に設けてなる粘着テープを半導体ウエハーの表面に貼付けて該ウエハー裏面を機械研削及び化学研削を行う。

Claim (excerpt)：

ミラーウエハー上に転着する0.2μm以上の大きさの異物量が500個以下/10000mm2 で、かつ該ウエハーに対する粘着力が100〜300g/25mmであるアクリル系樹脂粘着剤をポリプロピレン又はポリエステルとエチレン酢酸ビニル共重合体の複層体よりなる基材フィルムのエチレン酢酸ビニル共重合体面に設けてなる粘着テープを半導体ウエハーの表面に貼付けて該ウエハー裏面を機械研削及び化学研削することを特徴とするウエハー裏面の研削方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 321 ,  C09J 7/02 JHR ,  C09J 7/02 JJA ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/304 331

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-171627