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J-GLOBAL ID：200903009140495355

炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法

Inventor： 宮崎 忠昭
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993304901
Publication number (International publication number)：1995157307
Application date： Dec. 06, 1993
Publication date： Jun. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の製造方法により得られた高純度β型炭化ケイ素粉末を用いることにより、単結晶の不純物混入による特性の低下を大幅に改善し、高純度で、結晶欠陥の少なく、さらに、歩止りのよい炭化ケイ素単結晶を提供し得る。【構成】 不純物元素を実質的に含まない液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する不純物元素を実質的に含まない液状の有機化合物と不純物元素を実質的に含まない重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下、1600〜2200°Cで焼成することにより、平均粒径が10μm〜500μmであり、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下のβ型炭化ケイ素粉末を得ることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法。

Claim (excerpt)：

不純物元素を実質的に含まない液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する不純物元素を実質的に含まない液状の有機化合物と不純物元素を実質的に含まない重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下、1600〜2000°Cで焼成することにより、平均粒径が10μm〜500μmであり、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下のβ型炭化ケイ素粉末を得ることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法。

IPC (2)：

C01B 31/36 ,  C30B 29/36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-178389   Applicant：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
• 特開昭59-054697