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J-GLOBAL ID：200903009144899019

強磁性トンネル接合メモリ素子

Inventor： 竹村 泰司 ,  白樫 淳一
Applicant, Patent owner： 竹村 泰司 ,  白樫 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000256465
Publication number (International publication number)：2002043653
Application date： Jul. 24, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】高集積化に有利である微小かつ簡便な構造を有し、高性能な情報の書き込み、及び読み取りの特性を示す強磁性トンネル接合メモリ素子を提供する。【解決手段】両端にトンネル性容量を介し強磁性体ソース電極と強磁性体ドレイン電極に接続された強磁性体中央電極に、ゲート電極と書き込み電極が絶縁体を介して接続された強磁性トンネル接合メモリ素子において、前記強磁性体ソース電極と強磁性体ドレイン電極、強磁性体中央電極を同一平面上に形成することを特徴とする。同一の磁化方向を有する強磁性体ソース電極及び強磁性体ドレイン電極に対して、書き込み電極への通電により強磁性体中央電極の磁化方向を平行、あるいは反平行に反転させることにより書き込みを行い、強磁性体ソース電極と強磁性体ドレイン電極間の磁気抵抗変化により読み取りを行う。

Claim (excerpt)：

両端に絶縁体により構成されるトンネル性容量を介し少なくとも1個の強磁性体ソース電極と少なくとも1個の強磁性体ドレイン電極に接続された少なくとも1個の強磁性体中央電極に、少なくとも1個のゲート電極と少なくとも1個の書き込み電極が絶縁膜を介して接続された強磁性トンネル接合メモリ素子。