Pat
J-GLOBAL ID:200903009165563061
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野▲崎▼ 照夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998236801
Publication number (International publication number):1999191647
Application date: Aug. 24, 1998
Publication date: Jul. 13, 1999
Summary:
【要約】【目的】 従来、反強磁性層として使用されていたNiMn合金の場合、固定磁性層(例えばNiFe合金)との界面構造を整合状態としておいても、適性な交換異方性磁界を得ることができるが、NiMn合金よりも優れた反強磁性材料である白金族元素を用いたX-Mn合金の場合、固定磁性層との界面構造を整合状態とすると、交換異方性磁界を得ることができないという問題点があった。【構成】 反強磁性層4はX-Mn(Xは白金族元素)で形成され、Xの組成比が適性に調節されることにより、固定磁性層3との界面構造は非整合状態にされている。従って熱処理を施すことにより、前記反強磁性層4の結晶構造が変態し、大きな交換異方性磁界を得ることができるので、従来に比べてより再生特性を向上させることが可能である。
Claim (excerpt):
反強磁性層と強磁性層とが接して形成され、熱処理が施されることにより、前記反強磁性層と強磁性層との界面にて交換異方性磁界が発生し、前記強磁性層の磁化方向が一定方向に固定される交換結合膜において、前記反強磁性層は、少なくとも元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうちいずれか1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面構造が、非整合状態にあることを特徴とする交換結合膜。
IPC (3):
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/30
FI (3):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
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