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J-GLOBAL ID：200903009170740478
プラズマ処理方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996293575
Publication number (International publication number)：1997260360
Application date： Mar. 11, 1987
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【目的】本発明はより高密度のプラズマ生成を行うことを目的とする。【構成】低圧処理室内の2つの電極の双方に対して同一のRF電圧を印加して、2つの電極間に高エネルギ-放電を生じさせる。【効果】高エネルギ-放電により、より高密度のプラズマが得られる。
Claim (excerpt)：
平行平板型電極を内部に有する処理室に処理ガスを供給し、該処理室内の圧力を0.1 Torr付近から以下に減圧排気し、周波数が100kHz〜1MHzであるRF電圧を前記電極の両電極に印加してプラズマを発生させ、該発生したプラズマにより前記処理室内をクリ-ニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
