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J-GLOBAL ID：200903009174269907
多結晶半導体膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996259529
Publication number (International publication number)：1998106953
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】半導体膜を高エネルギーパルスレーザー照射により融解・結晶化して多結晶半導体膜を製造する処理において、固化時間をパルスレーザーのパルス長さに関わらず、任意に延ばすことができ、大粒径の多結晶半導体膜を安定に製造し、多結晶半導体膜の結晶性とTFT特性を向上することを目的とする。【解決手段】高エネルギービームの照射により、融解した半導体膜部の抵抗値を低下することにより、誘導加熱コイルにより半導体膜中に発生した交流電界により、半導体膜内に渦電流が流れ、溶融部のみが誘導加熱されることになり、固化時間が延び、大きな結晶を成長せしめることが可能になり、半導体膜の移動度などのTFT素子特性を大幅に改善できる。
Claim (excerpt)：
非晶質半導体膜または多結晶半導体膜に、結晶化または結晶性改善のため高エネルギービームを照射して融解し、電気抵抗率が固体状態に比べ低下した融解部分のみを電磁誘導加熱し、固化時間を延ばすことを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
