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J-GLOBAL ID：200903009177208925

シリコンウエーハの評価方法

Inventor： 真島 正樹 ,  音川 孝雄
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998153622
Publication number (International publication number)：1999330043
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエーハの測定のための手間のかかる前処理や高額装置を必要とせず、安全、簡便、低コスト、迅速にウエーハ面内全面について重金属汚染の有無及びライフタイムの低下等を信頼性高く評価出来るシリコンウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエッチングし、その後シリコンウエーハの表面状態を観察することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。

Claim (excerpt)：

シリコンウエーハをアルカリ水溶液でエッチングし、その後シリコンウエーハの表面状態を観察することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/66

FI (2)：

H01L 21/306 Z ,  H01L 21/66 L