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J-GLOBAL ID：200903009180679408

光電変換装置

Inventor： 殿村 嘉章
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992011821
Publication number (International publication number)：1993206490
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光電変換装置の裏面の反射率を向上させ感度を改善させる。【構成】 半導体基板1の裏面に、第1の透明膜4、第2の透明膜5...裏面金属反射膜3を積層する。第1の透明膜4の屈折率は半導体基板1の屈折率より小さくされ、第2の透明膜5の屈折率は第1の透明膜4の屈折率より小さくされる。これにより裏面金属反射膜の入射角は臨界角に近づき反射率が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の受光面側に設けたPN接合と、半導体基板の受光面の反対側に積層された複数の層の透明膜を介して設けた金属反射膜とを有し、金属反射膜に近い透明膜の屈折率は光がその直前に通過した層の屈折率より小さいことを特徴とする光電変換装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-065478
  
• 特開平2-120802
  
• 特開昭57-113292
  
• 特開昭63-034980