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J-GLOBAL ID：200903009196539509

半導体製造装置

Inventor： 大場 隆之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315103
Publication number (International publication number)：1993152208
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 気相成長を行う半導体製造装置に関し、大面積に亙って均一な膜成長が可能な装置構成を提案することを目的とする。【構成】 被処理基板(7)の温度を放射温度計(8)を用いて測定しながら、基板加熱が行われている被処理基板(7)上にシャワーヘッド(2)より複数の反応ガスを供給し、減圧排気しながら反応を行わせる装置において、反応ガスを供給するシャワーヘッド(2)が、複数の供給ガスをそれぞれプールする中間室(9)(10)と、この中間室(9)(10)よりそれぞれの反応ガスをシャワーヘッド(2)の下面に設けてある複数の噴出口に分割して供給する複数の導入孔(11)と、シャワーヘッド(2)の中央に貫通して設けてあり、一方の反応ガスの供給管を備えた放射温度計(8)用の測温穴(12)とを少なくとも備えて構成されていることを特徴として半導体製造装置を構成する。

Claim (excerpt)：

被処理基板(7)の温度を放射温度計(8)を用いて測定しながら、基板加熱が行われている被処理基板(7)上にシャワーヘッド(2)より複数の反応ガスを供給し、減圧排気しながら反応を行わせる装置において、反応ガスを供給する前記シャワーヘッド(2)が、複数の供給ガスをそれぞれプールする中間室(9)(10)と、該中間室(9)(10)よりそれぞれの反応ガスをシャワーヘッド(2)の下面に設けてある複数の噴出口に分割して供給する複数の導入孔(11)と、該シャワーヘッド(2)の中央に貫通して設けてあり、一方の反応ガスの供給管を備えた放射温度計(8)用の測温穴(12)と、を少なくとも備えて構成されていることを特徴とする半導体製造装置。