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J-GLOBAL ID：200903009202314549

半導体装置の製造方法

Inventor： 水津 康正 ,  山脇 秀之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991175665
Publication number (International publication number)：1993021373
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【構成】本発明は、自己整合により形成されたゲ-ト電極層、ソ-ス領域、ドレイン領域の上層部にシリサイド膜を形成後、H2 SO4 とH2 O2 を同時に含む非アルカリ系エッチング液によって未反応の金属層のみを除去し、続いて、低濃度の弗酸水溶液を用いて絶縁膜上に形成された膜厚の薄いシリサイド膜を除去するものである。【効果】必要なシリサイド膜の膜厚を減らさずに、電極間をショ-トさせ、電気的特性に直接悪影響を及ぼす絶縁膜上に形成されたシリサイド膜を除去できる。これより、半導体装置の動作の高速化を達成し、半導体装置の性能を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の素子分離膜で囲まれた素子領域上に形成された絶縁膜上に、多結晶シリコンゲ-ト電極層を形成し、このゲ-ト電極層をマスクに前記半導体基板中にソ-ス領域、ドレイン領域を形成し、続いて前記ゲ-ト電極層の側壁部を絶縁膜で覆う工程と、前記ゲ-ト電極層、前記ソ-ス領域、前記ドレイン領域及び前記素子分離膜上に金属層を堆積させる工程と、この金属層と、前記ゲ-ト電極層、前記ソ-ス領域、及び前記ドレイン領域とを熱処理し、前記ゲ-ト電極層、前記ソ-ス領域、及び前記ドレイン領域に金属シリサイド層を形成する工程と、前記金属層のうち、熱処理において未反応の部分を、少なくとも硫酸( H2 SO4 ) と過酸化水素水( H2 O2 ) とを同時に含むエッチング液により除去する工程と、前記素子分離膜上及び前記ゲ-ト電極側壁部の絶縁膜上に形成されたシリサイド層を、低濃度の弗酸水溶液により除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/308