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J-GLOBAL ID：200903009213500336

半導体装置の製法

Inventor： 須郷 満 ,  倉持 栄一 ,  天明 二郎 ,  西谷 昭彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222495
Publication number (International publication number)：1996064906
Application date： Aug. 24, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ウインド構造の劈開端面のレーザを精度良く製作すること。【構成】 端面を劈開面としている半導体層を有する半導体装置の製法において、半導体層をエッチングにより溝を形成し、ついでこの溝に沿って劈開を行う半導体装置の製法。

Claim (excerpt)：

端面を劈開面としている半導体層を有する半導体装置の製法において、半導体層をエッチングすることにより劈開予定域に溝を形成する工程と、該エッチング溝に沿って劈開を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-215086
  
• 半導体レーザの評価方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-218477   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭58-139487
  
• 特開平1-215086
  
• 特開昭58-139487