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J-GLOBAL ID：200903009214435058

電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法

Inventor： 森田 博志 ,  水庭 哲夫 ,  井田 純一
Applicant, Patent owner： 栗田工業株式会社
Agent (1)： 内山 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997197781
Publication number (International publication number)：1999029795
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】銅などの金属分により汚染された半導体基板などの電子材料を、効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができ、かつ洗浄後の廃液処理負担の軽い電子材料用洗浄水を提供する。【解決手段】オゾンを含有する超純水であって、標準酸化還元電位が1,200〜1,500mVであり、pHが3.5〜6.5であることを特徴とする電子材料用洗浄水、あらかじめ酸を添加してpHを3.5〜6.5に調整した超純水とオゾンガスを、ガス透過膜を介して接触させるか、又は、オゾンガスと超純水をガス透過膜を介して接触させて調製したオゾン溶解水に酸を添加してpHを3.5〜6.5に調整することを特徴とする該電子材料用洗浄水の製造方法、及び、金属分で汚染された電子材料を、該電子材料用洗浄水と接触させることを特徴とする電子材料の洗浄方法。

Claim (excerpt)：

オゾンを含有する超純水であって、標準酸化還元電位が1,200〜1,500mVであり、pHが3.5〜6.5であることを特徴とする電子材料用洗浄水。

IPC (7)：

C11D 7/18 ,  B08B 3/04 ,  B08B 3/08 ,  C02F 1/50 531 ,  C02F 1/50 540 ,  C02F 1/50 550 ,  H01L 21/304 341

FI (7)：

C11D 7/18 ,  B08B 3/04 Z ,  B08B 3/08 Z ,  C02F 1/50 531 R ,  C02F 1/50 540 A ,  C02F 1/50 550 C ,  H01L 21/304 341 L