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J-GLOBAL ID：200903009221201526

半導体装置の製造方法

Inventor： 磯部 晶
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992319551
Publication number (International publication number)：1994169018
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔へのAl膜の埋め込み性を向上させると共に、ジャンクションリークの発生をなくす。【構成】半導体基板1上の層間絶縁膜2にコンタクト孔3を形成する。次にスパッタチャンバー内でTiN/Ti膜4とAl膜5をスパッタ法により形成する。次に基板をリフローチャンバーに移す。この時Al膜5上に自然酸化膜6が形成される。この自然酸化膜6をArガスのプラズマにより除去したのち、基板を加熱しAl膜をリフローさせる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された層間絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を含む全面にAl膜を形成する工程と、このAl膜の表面に不活性ガスのプラズマを照射し表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記半導体基板を加熱し自然酸化膜が除去された前記Al膜を流動化させ前記コンタクト孔を埋めると共に表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-089340
  
• 特開平2-079446
  
• 特開平3-148854
  
• 特開昭62-293739