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J-GLOBAL ID：200903009228699180

光電子放出面及びそれを用いた電子管

Inventor： 新垣 実
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992037823
Publication number (International publication number)：1993234501
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 従来の半導体を用いた光電子放出面に比較して著しく高い感度を有し、また、その限界波長をはるかに長波長まですることが可能な光電子放出面及びそれを用いた電子管を提供することを目的とする。【構成】 光吸収層22となる異種接合半導体多層膜のGaAs層22aは、電子のドブロイ波長よりも短い300オングストローム以下の膜厚であるため、隣接するエネルギギャップの大きなAl0.65Ga0.35As層22bによって挟まれてポテンシャル井戸となり、GaAs層22a内にその量子準位に応じたサブバンドが形成される。この時に、Al0.65Ga0.35As層22bはトンネル効果によって電子が通り抜けられない45オングストローム以上の膜厚を有しているので、このサブバンドは束縛電子により常に満たされた状態にある。

Claim (excerpt)：

光吸収層に光子が入射すると光電子を放出する光電子放出面において、前記光吸収層はエネルギギャップの異なる半導体の異種接合が多層になった異種接合半導体多層膜によって形成され、エネルギギャップの小さな前記半導体の膜厚は300オングストローム以下であり、エネルギギャップの大きな前記半導体の膜厚は45オングストローム以上であることを特徴とする光電子放出面。

IPC (2)：

H01J 1/34 ,  H01J 29/38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-133634
  
• 特開平4-098134
  
• 特開昭58-085244
  
• 特開昭60-216421