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J-GLOBAL ID：200903009255473401

強誘電体薄膜素子およびその製造方法

Inventor： 櫻 井 敦 ,  李 効 民 ,  白 露 幸 祐
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998257969
Publication number (International publication number)：2000188377
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 Si単結晶基板上にできる限り単純な薄膜積層構成で、高度に配向した酸化物強誘電体薄膜、特にPb系ペロブスカイトの酸化物強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明にかかる強誘電体薄膜素子は、Si基板66と、Si基板上に形成されTiの一部をAlで置換したTiN薄膜64と、TiN薄膜の上に形成されペロブスカイト構造を有する酸化物の強誘電体薄膜62を含む強誘電体薄膜素子であって、TiN薄膜中のTiサイトのAl置換量がAl原子に換算して1%以上30%以下であり、かつTiN薄膜中の酸素含有量が酸素原子に換算して5%以下であることを特徴とする、強誘電体薄膜素子である。

Claim (excerpt)：

Si基板、前記Si基板上に形成されTiの一部をAlで置換したTiN薄膜、および前記TiN薄膜の上に形成されペロブスカイト構造を有する酸化物の強誘電体薄膜を含む強誘電体薄膜素子であって、前記TiN薄膜中のTiサイトのAl置換量がAl原子に換算して1%以上30%以下であり、かつ前記TiN薄膜中の酸素含有量が酸素原子に換算して5%以下であることを特徴とする、強誘電体薄膜素子。

IPC (12)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/24 ,  C30B 29/38 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22

FI (9)：

H01L 27/10 651 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/24 ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-196767   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032170   Applicant：株式会社東芝