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J-GLOBAL ID：200903009275554440

磁気デバイスおよびこれを用いた磁気メモリ

Inventor： 小田川 明弘 ,  足立 秀明 ,  松川 望
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340591
Publication number (International publication number)：2004179219
Application date： Nov. 25, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】電圧印可によって磁化状態と制御する磁気デバイスとその好ましいデバイス構成例を提供する。【解決手段】ある磁性体の磁化状態の電圧制御を行うために、少なくとも強誘電性とともに、磁気秩序を有する転移層を用い、転移層への電界印可により、転移層の磁性を制御し、且つ転移層と接する磁性体の磁化方向を変化させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの転移層と少なくとも1つの非磁性層と少なくとも2つの磁性体が積層され、前記非磁性層の内少なくとも1つが、2つの磁性体に挟まれ、且つ前記非磁性層を挟む2つの磁性体の磁化相対角の変化により、抵抗が変化する磁気抵抗効果部であり、前記非磁性層を挟む磁性体の内、少なくとも1つが自由磁性体であり、前記自由磁性体が前記転移層と磁気的に結合し、前記転移層が、少なくとも強誘電性とともに、強磁性を有することで、前記転移層への電界印可により前記転移層の磁性が変化し、結合している前記自由磁性体の磁化状態を変化させることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (5)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

FI (7)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 120 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

F-Term (18)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AB04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049GC04 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5F083ZA28