Pat
J-GLOBAL ID：200903009288369022
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996033716
Publication number (International publication number)：1997232599
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】トレンチ内壁のダメージの発生によるリーク電流を解消し、かつ多くの動作領域が確保できるトレンチ型のSBDを構成する。【解決手段】N+ 型のシリコン基板11上にN- 型のエピタキシャル層12が形成されている。エピタキシャル層12の所定領域には高濃度のP+ 型のベース拡散層2が形成されている。ベース拡散層2 の表面からエピタキシャル層12に貫通するトレンチ3 が形成されている。トレンチ3 内にはN- の選択エピタキシャル層4 が形成されている。選択エピタキシャル層4 を含むベース拡散層2 及びエピタキシャル層12表面にショットキメタル5 が形成されている。ショットキメタル5 と接触する、2つのトレンチ3 に充填された各々の選択エピタキシャル層4 の表面領域6 がダイオード動作領域となる。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基体と、前記半導体基体に形成された第2導電型の半導体領域と、前記半導体領域表面から前記半導体基体に貫通する溝と、前記溝内を充填する第1導電型のエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層表面に接触する金属電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
