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J-GLOBAL ID：200903009308502174

半導体レーザの製造方法

Inventor： 田中 清武 ,  足立 秀人 ,  木戸口 勲 ,  高森 晃
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213200
Publication number (International publication number)：1997064453
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ高出力化のための劈開面保護膜の形成方法を提供する。【構成】 同一真空容器において、半導体レーザの劈開面203にプラズマ205を照射することにより劈開面203に付着した水分と自然酸化膜を除去し、劈開面203を窒化し、その後劈開面保護膜208を形成する。【効果】 劈開面203の水分と自然酸化膜を除去することによりCODレベルが向上し、半導体レーザが高出力化される。また、劈開面保護膜208の劈開面203への密着力が向上し、半導体レーザの信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体レーザを真空容器内に入れる工程と、前記半導体レーザの劈開面にプラズマを照射する工程と、前記劈開面に劈開面保護膜を形成する工程とを有する半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-143635
  
• 特開平3-089585
  
• 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-290193   Applicant：光技術研究開発株式会社