強誘電体不揮発性メモリの使用方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：古谷栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272753
Publication number (International publication number)：1994125066
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】非選択セルへの誤書込をより確実に防止する。【構成】チャネル形成領域10bのしきい値電圧を強誘電体膜6の抗電圧より低く設定するとともに、非選択セルのコントロールゲート電極5に、立上がり波形がなだらかな電圧(図1B参照)を与える。強誘電体膜6は、抗電界に相当する電圧を印加しなければ、ほとんど分極は起こらない。コントロールゲート電極5に前記しきい値電圧をこえる電圧を印加すると、すぐにチャネルが形成される。したがって、隣接するチャネル形成領域10cの反転層を通じて、ドレイン3から速やかに電子が供給される。これにより、チャネル形成領域10bに反転層が形成され、この部分の電位はドレイン電位に等しくなる。したがって、実質的に強誘電体膜6に抗電界に相当する電圧が印加されないこととなり、強誘電体膜6が誤まって分極することを防止できる。

Claim (excerpt)：

第1領域、第1領域との間に電路形成可能領域を形成するように設けられた第2領域、電路形成可能領域を覆う強誘電体膜、強誘電体膜上に設けられた分極用制御電極、を備えた強誘電体不揮発性メモリをマトリックス状に配置し、書き込む場合には、書き込み予定のメモリの分極用制御電極に分極電圧を印加するとともに、書き込みを防止したいメモリには、第1領域または第2領域に電圧を印加することにより、強誘電体膜に分極電圧を印加しないようにして、書き込み予定のメモリにのみ、情報を書き込む強誘電体不揮発性メモリの使用方法において、第2の電路形成可能領域に電路を形成するためのしきい値電圧を強誘電体膜の抗電圧より低く設定するとともに、立上がりがなだらかな分極電圧波形を分極用制御電極に与えること、を特徴とする強誘電体不揮発性メモリの使用方法。

IPC (4)：

H01L 27/115 , G11C 11/22 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-064993
特開昭57-120372
特開平2-064993

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