Pat
J-GLOBAL ID：200903009318278450
プラズマ処理方法および装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
金丸 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067403
Publication number (International publication number)：1993275377
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 真空容器内の電極上に載置された試料基板にプラズマビームを照射する一方、この試料基板を電極側から冷却しながらエッチング等を行うプラズマ処理について、電極を大型化させることなく、試料基板に対する冷却ガスからの熱伝達効率を高め、試料基板温度の冷却効率を向上させる。【構成】 真空処理室(1) 内に配設された電極(2) の上面にガス流路溝(2a)を設けると共に、このガス流路溝(2a)に、ガス導入・排出孔(2b),(2c) およびガス導入・排出管(7),(9) を介して、真空処理室(1) 外に配置された不活性ガスの液化ガスポンベ(6) および排気ポンプ(8) を連結させてなる装置構成とし、試料押え(3) の押え爪(3a)によって、外周縁部を電極(2) 上面に押付けて密着させられた試料基板Wとガス流路溝(2a)との間に低温な不活性ガスを導入して流し、この不活性ガスとの直接的な接触・熱交換により試料基板Wを冷却する。
Claim (excerpt)：
排気手段を備える真空容器内の電極上面に密接して載置された試料基板にプラズマビームを照射する一方、この試料基板を電極側から冷却してビーム照射による温度上昇を抑制しながらエッチング等のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、電極上面に設けた凹部と試料基板との間に低温な不活性ガスを導入して流し、この不活性ガスとの直接的な接触・熱交換により試料基板を冷却することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
