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J-GLOBAL ID：200903009320128334
アライメントマーク検出方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995319140
Publication number (International publication number)：1997162102
Application date： Dec. 07, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 アライメントマークの溝の膜厚が左右で非対称となるので、膜厚が薄いエッジの方向に中心位置がシフトする。【解決手段】 電子ビームで所定の配線を描画する半導体集積回路の製造工程で、十字形状のアライメントマーク30の中心位置を検出するアライメントマーク検出方法において、電極材料で成膜した膜厚の2倍以下の距離で対向した壁面が形成された穴30aからなる凹部を、十字形状を形成する各交差線上に配置してアライメントマーク30を形成する。上記のように形成することにより、穴30aが電極材料で埋め込まれるので、左右対称の反射電子信号波形が得られる。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上のシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成して化学的気相成長法により成膜した電極材料で上記コンタクトホールを埋め込んだ後、スパッタリング法により成膜した配線材料を上記コンタクトホールに重ね合わせ、電子ビームで所定の配線を描画する半導体集積回路の製造工程で、十字形状のアライメントマークの中心位置を検出するアライメントマーク検出方法において、上記電極材料で成膜した膜厚の2倍以下の距離で対向した壁面を有する凹部により上記十字形状の上記アライメントマークを形成し、上記コンタクトホール及び上記凹部を上記電極材料で埋め込んで、上記アライメントマークに上記電子ビームを照射して反射電子信号を検出し、上記反射電子信号から上記アライメントマークの中心位置を算出するアライメントマーク検出方法。
IPC (2)：
FI (5)：
H01L 21/30 502 M
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 522 A
, H01L 21/30 522 B
, H01L 21/30 541 K
