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J-GLOBAL ID:200903009327901713
熱電変換素子の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 蛯谷 厚志
, 堂垣 泰雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007315971
Publication number (International publication number):2009141127
Application date: Dec. 06, 2007
Publication date: Jun. 25, 2009
Summary:
【課題】セラミックス粒子の分散性を向上させることにより、熱伝導率を十分に低減させ、特性を大きく向上させた熱電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】熱電変換材料を構成する元素の塩を含有する第一の溶液を、還元剤とセラミックス粒子とを含有するpH10〜14に調整された第二の溶液に滴下し、得られた粒子状物質を乾燥させることで複合粒子を得る工程;およびこの複合粒子を焼結し熱電変換素子を得る工程、を含む、熱電変換素子を製造する方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
熱電変換材料を構成する元素の塩を含有する第一の溶液を、還元剤とセラミックス粒子とを含有するpH10〜14に調整された第二の溶液に滴下し、得られた粒子状物質を乾燥させることで複合粒子を得る工程;および
該複合粒子を焼結し熱電変換素子を得る工程、
を含むことを特徴とする熱電変換素子を製造する方法。
IPC (6):
H01L 35/34
, H01L 35/16
, H01L 35/18
, C22C 12/00
, B22F 9/24
, B22F 3/14
FI (6):
H01L35/34
, H01L35/16
, H01L35/18
, C22C12/00
, B22F9/24 Z
, B22F3/14 101C
F-Term (9):
4K017AA06
, 4K017BA03
, 4K017BA10
, 4K017EK08
, 4K018AA40
, 4K018AB01
, 4K018AC03
, 4K018EA21
, 4K018KA32
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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熱電変換用半導体材料およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-058844
Applicant:日本碍子株式会社, 日産自動車株式会社
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特開平3-148879号公報
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