電界効果半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：津軽進 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000585910
Publication number (International publication number)：2002531940
Application date： Nov. 18, 1999
Publication date： Sep. 24, 2002
Summary：

【要約】例えばパワーMOSFETのような電界効果半導体装置において、基体部分は、この半導体装置の表面でチャネル収容領域をドレイン領域から離隔させる。この基体部分は、前記装置の導電モードにおいて、導電チャネルから、第1導電型の電荷キャリアがドレイン領域へ電流を流すのに利用するドリフト領域を含んでいる。単一の領域の代わりに、基体部分は、第2導電型の電界リリーフ領域も含み、これは電圧キャリング空間チャージ領域を形成するために、この装置の電圧阻止モードにおいて、ドリフト領域と一緒に空乏化される。このドレイン領域は、表面10aにおいて基体部分の周りを少なくとも部分的に延在し、リリーフ領域はこの基体部分において放射状に配される。周辺ドレイン領域に向かい増大する配置エリアは、隣接するリリーフ領域間の間隔がこの周辺ドレイン領域に向かう放射方向に増大することを容易に可能にする。これら増大する間隔は、放射形リリーフ領域が基体部分の反対側の端部に向かい、これら領域の異なる機能と互換性があるドーピング濃度で形成されることを可能にする。同心配列におけるこれら増大するように間隔をとる放射状に配されるリリーフ領域の採用は、チャネル収容領域に隣接する最大の電界リリーフで、最適に近い電界分布が基体部分において達成されるのを可能にする。

Claim (excerpt)：

第2導電型のチャネル収容領域を反対の第1導電型のソース領域とドレイン領域との間に含む半導体基体を有する電界効果半導体装置であって、基体部分は前記チャネル収容領域を前記ドレイン領域から離隔し、前記基体部分と前記ソース及びドレイン領域との両方とも前記半導体基体の表面に隣接して延在し、前記基体部分は、前記装置の動作が導電モードにおいて、前記チャネル収容領域内の導電チャネルから、前記第1導電型の電荷キャリアが前記ドレイン領域へ電流を流すための前記第1導電型のドリフト領域を含み、前記基体部分は、前記表面に隣接する前記ドリフト領域内に存在する第2導電型のリリーフ領域も含み、前記装置の動作が或るのモードにおいて、阻止電圧が前記チャネル収容領域と前記ドレイン領域との間に存在するとき、前記基体部分の前記リリーフ領域及び前記ドリフト領域が前記チャネル収容領域から前記ドレイン領域へ空乏層が広がることで空間電子領域を一緒に形成する電界効果半導体装置において、前記基体の表面における前記ソース領域及びドレイン領域の同心配列を有し、前記ドレイン領域は、前記基体部分及び前記ソース領域の周りに少なくとも部分的に延在する周囲領域であり、隣接するリリーフ領域間の間隔は、前記チャネル収容領域から前記周囲ドレイン領域に向かい増大することを特徴とする電界効果半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/786

FI (9)：

H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 617 J

F-Term (20)：

5F110AA13 , 5F110BB12 , 5F110CC09 , 5F110DD13 , 5F110EE22 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110HM12 , 5F140AA25 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BF43 , 5F140BF51 , 5F140BH02 , 5F140BH04 , 5F140BH30 , 5F140CD09

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