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J-GLOBAL ID：200903009334174266

液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法

Inventor： 平山 拓 ,  佐藤 充 ,  脇屋 和正 ,  岩下 淳 ,  吉田 正昭
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004039772
Publication number (International publication number)：2005101498
Application date： Feb. 17, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】露光プロセスに用いる露光光に対して透明で、その沸点が70〜270°Cであるフッ素系溶剤から構成した液体を、液浸露光の浸漬液として使用する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに用いて好適な浸漬液であって、 前記露光プロセスに用いる露光光に対して透明で、その沸点が70〜270°Cであるフッ素系液体から構成されていることを特徴とする液浸露光プロセス用浸漬液。

IPC (5)：

H01L21/027 ,  G03F7/032 ,  G03F7/075 ,  G03F7/207 ,  G03F7/38

FI (5)：

H01L21/30 515D ,  G03F7/032 ,  G03F7/075 511 ,  G03F7/207 H ,  G03F7/38 501

F-Term (26)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB28 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA01 ,  2H025FA08 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA18 ,  2H096EA27 ,  5F046BA03 ,  5F046CB01 ,  5F046CB25 ,  5F046DA12