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J-GLOBAL ID：200903009334552619

マイクロ慣性センサ及びその製造方法

Inventor： 安 承道 ,  金 京洙 ,  ▲ちょ▼ 智萬
Applicant, Patent owner： 三星電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002376455
Publication number (International publication number)：2003294451
Application date： Dec. 26, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 製品の小型化及び製造工程の簡易化を図る。【解決手段】 下部ガラス基板と、前記基板上に縁部、固定点、及び水平方向の静電容量を感知するための側面運動感知用構造体を含む下部シリコンと、前記下部シリコン層の縁部、固定点及び構造物に各々対応する縁部、上側に金属配線が形成されたビアホールが連結した固定点、及び前記構造物との間で垂直方向の静電容量を感知するための上部感知用電極層を含む上部シリコンと、前記上部シリコン及び下部シリコン間の接合層と、前記上部シリコンの上部に位置して金属配線が形成されたビアホールが設けられた上部基板とから構成されている。

Claim (excerpt)：

下部ガラス基板と、前記下部ガラス基板上に、縁部、固定点、及び側面運動感知用構造体を含む下部シリコンと、前記下部シリコンの縁部、固定点、及び構造体に各々対応する縁部、上側に金属配線が形成されたビアホールが連結された固定点、及び上部感知用電極を含む上部シリコンと、前記上部及び下部シリコン間で熱融着される接合層と、前記上部シリコンの上部に位置して導電配線が形成されたビアホールが具備された上部ガラス基板とからなるマイクロ慣性センサ。

IPC (6)：

G01C 19/56 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (6)：

G01C 19/56 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 Z ,  H01L 29/84 Z

F-Term (16)：

2F105BB13 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112DA04 ,  4M112DA08 ,  4M112DA18 ,  4M112DA20 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• マイクロセンサ及びそのパッケージ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-372901   Applicant：三星電機株式会社