Pat
J-GLOBAL ID:200903009339677967

半導体装置の実装方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松田 正道
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996234886
Publication number (International publication number):1998079571
Application date: Sep. 05, 1996
Publication date: Mar. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置の突起電極と回路基板の端子電極を導電性の樹脂接着剤で接続する場合、接続部分の強度が弱く品質の劣化を招いていた。【解決手段】半導体装置4の突起電極5に接合層3を付着させる接着剤付着工程と、前記半導体装置の突起電極以外の一部及び/又は回路基板2の端子電極1以外の一部に補強層9を付着させる第1絶縁性樹脂付着工程と、半導体装置及び/又は前記回路基板に付着された補強層9及び接合層3を介して、半導体装置の突起電極部と回路基板の端子電極とが重なるように、半導体装置と回路基板とを接合する接合工程と、補強層9を硬化させる第1絶縁性樹脂硬化工程と、接合層3を硬化させる接着剤硬化工程とを備え、これらを組み合わせて行うことを特徴とする半導体装置の実装方法。
Claim (excerpt):
半導体装置の突起電極に導電性樹脂接着剤を付着させる接着剤付着工程と、前記半導体装置の突起電極以外の一部及び/又は回路基板の端子電極以外の一部に第1の絶縁性樹脂を付着させる第1絶縁性樹脂付着工程と、前記半導体装置及び/又は前記回路基板に付着された前記第1の絶縁性樹脂及び前記導電性樹脂接着剤を介して、前記半導体装置の突起電極部と前記回路基板の端子電極とが重なるように、前記半導体装置と前記回路基板とを接合する接合工程と、前記第1の絶縁性樹脂を硬化させる第1絶縁性樹脂硬化工程と、前記導電性樹脂接着剤を硬化させる接着剤硬化工程とを備え、これらを組み合わせて行うことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (2):
H05K 3/32 ,  H01L 21/60 311
FI (2):
H05K 3/32 B ,  H01L 21/60 311 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 部品実装方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-121845   Applicant:富士通株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-300832   Applicant:松下電器産業株式会社
  • 特開平1-244627

Return to Previous Page