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J-GLOBAL ID：200903009344643302

高品質半導体薄膜の形成方法

Inventor： 芦田 芳徳 ,  石黒 信行 ,  田中 博文
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994008101
Publication number (International publication number)：1995221026
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【構成】 特定の膜厚みの薄膜形成と品質向上を行う熱処理工程を繰り返すことにより、半導体薄膜の品質向上を行うことが可能である高品質半導体薄膜形成方法。【効果】 本発明により、従来技術では十分ではなかった薄膜の品質向上を、特定の膜厚みと熱処理条件を選択することにより、可能となった。

Claim (excerpt)：

基板上に、半導体薄膜用原料ガスを励起エネルギーを用いて、気相分解することにより半導体薄膜を特定の厚み形成した後、その薄膜に熱処理を施し、これらの操作を繰り返し行い、所定の膜の厚みを形成することを特徴とする高品質半導体薄膜を形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 31/04