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J-GLOBAL ID：200903009352290907

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 安彦 仁
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048596
Publication number (International publication number)：1993251441
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の製造方法において、絶縁膜表面と配線表面とを同一面に、かつ、平坦化し、多数の配線層を重ねられるようにする。【構成】 配線金属体形成予定領域を除く領域に選択的に絶縁物を形成し、配線金属体形成予定領域に選択的に金属を埋め込むことにより、表面が完全に平坦化されるので、多数の配線層を重ねられる。更に、配線の厚さは、絶縁物の厚さにより決まるので、任意に決めることができる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路装置の配線金属体を形成する当たり、当該配線金属体形成予定領域を除く領域に選択的に絶縁物を形成する工程、前記配線金属体形成予定領域に選択的に金属を埋め込む工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。