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J-GLOBAL ID：200903009362842045

相補型集積回路とその製造方法

Inventor： 竹内 潔
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999052323
Publication number (International publication number)：2000252370
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 nチャネルFETとpチャネルFETとで異なるゲート材料を用い、かつゲート空乏化の問題を抑えた、微細かつ高性能な相補型MISFET集積回路を容易に製造する手段を提供する。【解決手段】 ジルコニウムまたはハフニウムから選択された一つで構成される第1の金属材料をゲート電極11とするnチャネル素子21と、珪化白金、珪化イリジウム、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、レニウム、金から選択された一つで構成される第2の金属材料をゲート電極12とするpチャネル素子22とを有することを相補型集積回路20。

Claim (excerpt)：

ジルコニウムまたはハフニウムから選択された一つで構成される第1の金属材料をゲート電極とするnチャネル素子と、珪化白金、珪化イリジウム、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、レニウム、金から選択された一つで構成される第2の金属材料をゲート電極とするpチャネル素子とを有することを特徴とする相補型集積回路。

IPC (4)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 Z ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (45)：

4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB22 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD07 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD95 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040EC09 ,  5F040EF02 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FB01 ,  5F040FB02 ,  5F040FB05 ,  5F040FC10 ,  5F040FC21 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048DA25