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J-GLOBAL ID：200903009370802435

磁気抵抗効果膜及びその製造方法

Inventor： 藤方 潤一 ,  中田 正文
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996268824
Publication number (International publication number)：1998116728
Application date： Oct. 09, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵抗変化を示し、しかも耐蝕性及び耐熱性に優れた磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】 本発明に係る磁気抵抗効果膜は、反強磁性薄膜6と、反強磁性薄膜5に接する磁性薄膜3と、磁性薄膜3に接する非磁性薄膜1と、非磁性薄膜1に接する磁性薄膜2とが少なくとも積層され、反強磁性薄膜6のバイアス磁界をHr、磁性薄膜2の保持力をHc2としたとき、Hc2<Hrとしたものである。反強磁性薄膜5は、Ni酸化膜と、20〜100オングストロームの厚みのFe酸化膜との積層体からなる。

Claim (excerpt)：

反強磁性薄膜と、この反強磁性薄膜に接する第一の磁性薄膜と、この第一の磁性薄膜に接する非磁性薄膜と、この非磁性薄膜に接する第二の磁性薄膜とが少なくとも積層され、前記反強磁性薄膜のバイアス磁界をHr、前記第二の磁性薄膜の保持力をHc2としたとき、Hc2<Hrである磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性薄膜がNi酸化膜と20〜100オングストロームの厚みのFe酸化膜との積層体からなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (3)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z