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J-GLOBAL ID：200903009374211865

半導体ウェーハの製造方法

Inventor： 宝来 正隆 ,  足立 尚志 ,  西川 英志 ,  佐野 正和
Applicant, Patent owner： 九州電子金属株式会社 ,  住友シチックス株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992196576
Publication number (International publication number)：1994020896
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 水素雰囲気処理に於ける低温域でのマイクロラフネスの劣化、高温域での電気的に活性な不純物の外方拡散による抵抗率の増大を解決する半導体ウエーハの製造方法の提供。【構成】 水素ガス雰囲気中での加熱処理において、水、酸素等の大気中ガス分子の濃度を水換算で5ppm以下とし、基板表面が不均一に酸化されてマイクロラフネスが劣化する反応を抑制し、さらにSi基板中に含まれている電気的活性不純物と同種の不純物ガスを雰囲気中に混合し、不純物のSi基板表面近傍での外方拡散を防止して抵抗率の変動を防止する。

Claim (excerpt)：

水素ガス雰囲気中で半導体基板を熱処理する方法において、加熱雰囲気中の水分子及び酸素ガス分子濃度を水分子換算で5ppm以下となして熱処理することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205