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J-GLOBAL ID：200903009381967452

プラズマ処理装置およびその制御方法

Inventor： 石井 信雄
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284210
Publication number (International publication number)：1995122399
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理装置のフィードバック制御の精度を向上する。【構成】 本発明によれば、処理容器2内の発光スペクトルを観測する観測窓34を介して同時に処理容器内から発せられる短波長成分も観測し、その短波長成分の観測窓の透過性の劣化による発光スペクトルの歪みを補正することができる。このようにして得られた信号に基づいて、高周波アンテナに印加される高周波エネルギをオンオフ制御することにより、プラズマ流の集中性を促進し、処理の制御精度の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

処理室の外部に絶縁体を介して配置された高周波アンテナに高周波電力を印加することによりその処理室内に誘導プラズマを励起して、その処理室内に配置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置を制御するにあたり、前記高周波アンテナに対する高周波エネルギの供給を間歇的に行うことを特徴とする、プラズマ処理装置の制御方法。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 A