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J-GLOBAL ID：200903009394498630
半導体光集積素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180746
Publication number (International publication number)：1993029602
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】半導体光集積素子の異種機能、異種性能を有する光素子間の高効率な光結合を極めて容易に実現する構造及び製造方法を提供する。また、量子井戸構造を集積化する複数素子に適用する。【構成】連続し且つ成長層厚または組成が各素子領域で異なる複数のバルク半導体層6または量子井戸構造9を形成し、それらのエネルギー準位の差を利用して異種機能を有する半導体光素子を同一半導体基板1上に集積化する半導体光集積素子及び半導体基板上に形成した絶縁膜パターニングマスク5を用いた領域選択成長技術を用いた半導体光集積素子の製造方法。【効果】素子間のほぼ100%光結合を実現できる。また従来、複数回エピタキシャル成長することで集積化していた2種以上の異種機能光素子が1回の結晶成長で形成できる。
Claim (excerpt)：
化合物半導体からなる第1の光導波層を有する第1の光機能部と、化合物半導体からなる第2の光導波層を有する第2の光機能部と、これらの光導波層を光学的に結合するための結合部とを有し、この結合部の層厚若しくは元素組成が単調に変化して上記第1及び第2の光導波層の層厚若しくは元素組成にそれぞれ接続する半導体光集積素子。
IPC (3)：
H01L 27/15
, H01S 3/18
, H04B 10/16
Cited by examiner (9)
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