Pat
J-GLOBAL ID:200903009402238391
導電膜および導電膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002060115
Publication number (International publication number):2003151362
Application date: Mar. 06, 2002
Publication date: May. 23, 2003
Summary:
【要約】【課題】湿式形成導電膜における従来の350〜400°C以上(ITO微粒子の場合)、150〜200°C以上(金属微粒子の場合)、よりも低い熱処理温度で、プラスチック基材も適用可能な導電膜およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 少なくとも導電層を有する導電膜の製造方法において、少なくとも導電性微粒子とバインダと金属イオンを含む前駆導電層を還元処理し、導電層を形成することを特徴とする導電膜の製造方法およびそれにより製造された導電膜を提供するものである。
Claim (excerpt):
少なくとも導電性微粒子とバインダと金属イオンとを含む前駆導電層を還元処理した導電層を有することを特徴とする導電膜。
IPC (4):
H01B 5/14
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
, H01L 21/283
FI (4):
H01B 5/14 A
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503 B
, H01L 21/283 A
F-Term (35):
2H092GA11
, 2H092GA31
, 2H092GA64
, 2H092HA04
, 2H092HA11
, 2H092MA10
, 2H092MA12
, 2H092MA13
, 2H092MA37
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104DD81
, 4M104DD86
, 4M104GG05
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FB02
, 5G307FC03
, 5G323BA01
, 5G323BA02
, 5G323BA05
, 5G323BB02
, 5G323BC01
, 5G323BC02
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