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J-GLOBAL ID：200903009422035373

バルク型超伝導X線検出素子及びその製造方法

Inventor： 長谷川 正夫 ,  鈴木 弘幸
Applicant, Patent owner： セイコーインスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 坂上 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001151179
Publication number (International publication number)：2002344038
Application date： May. 21, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 バルク型超伝導X線検出素子において配線の断面積が大きいために、準粒子が拡散してしまい、信号電流が減少する。機械的に切断すると加工歪みのために、拡散よりも多くの準粒子が再結合してしまう。【解決手段】 バルク超伝導体を酸素分子イオンビームで切断することにより、加工歪みを与えることなく、配線の断面積を小さくする。

Claim (excerpt)：

超伝導体の表面に陽極酸化膜を形成し、酸素分子イオンビームを照射し表面の厚い陽極酸化膜を除去し接合領域を形成した後、超伝導体薄膜を形成することにより超伝導体-絶縁体-超伝導体で構成されるトンネル接合を作製したバルク型超伝導X線検出素子において、接合以外の超伝導体の一部を酸素分子イオンビームで切りとることにより、接合領域以外の超伝導体の断面積を小さくしたことを特徴とするバルク型超伝導X線検出素子。

IPC (3)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14

FI (3)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K

F-Term (17)：

2G088FF02 ,  2G088GG22 ,  2G088JJ37 ,  4M113AA03 ,  4M113AA13 ,  4M113AA25 ,  4M113AC25 ,  4M113BA04 ,  4M113BB14 ,  4M113BC00 ,  4M113CA12 ,  4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118CA01 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118HA01