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J-GLOBAL ID：200903009428048787

電界放出電子エミッタ及びその形成方法

Inventor： ジェイムズ・イー・ジャスキー ,  ロバート・シー・ケイン
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241326
Publication number (International publication number)：1993205617
Application date： Aug. 18, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低い作動電圧および高い表面安定性を有し、イオン衝撃損傷を受けることが少ない電子エミッタを備えた電界放出電子デバイスを実現する。【構成】 選択的に形成された導電性/半導電性電極(402)上に形成されたダイヤモンド材料(406)のコーティングを含む電子エミッタを用いた電界放出電子デバイス、及び導電性/半導電性電極(402)の表面に炭素イオン(404)が注入されこれがダイヤモンド形成に対する核形成位置として機能するステップを含む電界放出電子デバイスの形成方法。

Claim (excerpt)：

主表面を有する選択的に形成された導電性/半導電性電極(402を設けるステップと、核形成位置(404)としてのイオンを、導電性/半導電性電極(402)の主表面の少なくとも一部上へ注入するステップと、核形成位置(404)の少なくともいくらかに優先的にダイヤモンドクリスタライト(406)を成長させ、選択的に形成された導電性/半導電性電極(402)の主表面の少なくとも一部上に配置されたダイヤモンドコーティングを有する電子エミッタを得るステップと、を具備することを特徴とする電界放出電子エミッタを形成する方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30