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J-GLOBAL ID：200903009439126682
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995214187
Publication number (International publication number)：1997041149
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：
【要約】【課題】本発明は、高速の処理速度で比較的大面積の基体を均一かつ高品位に処理することが可能であると共に、製造時間が短く低コストであり、とりわけ画像特性の優れた電子写真用感光体を製造するのに最適な堆積膜形成方法およびその装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、 真空気密可能な反応容器の放電空間内に原料ガスを導入し、13.56MHzより高い周波数の高周波電力、特に50MHz〜450MHzの高周波電力の印加により前記原料ガスを分解して前記放電空間内の被成膜基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜形成方法又は装置において、前記反応容器を電極を兼ねる金属部分と絶縁性材料部分とで構成し、前記反応容器の絶縁性材料部分の壁面を冷媒を用いて冷却して堆積膜を形成するようにしたものである。
Claim (excerpt)：
真空気密可能な反応容器の放電空間内に原料ガスを導入し、13.56MHzより高い周波数の高周波電力の印加により前記原料ガスを分解して前記放電空間内の被成膜基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜形成方法において、前記反応容器を電極を兼ねる金属部分と絶縁性材料部分とで構成し、前記反応容器の絶縁性材料部分の壁面を冷媒を用いて冷却して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
IPC (3)：
C23C 16/50
, G03G 5/08 105
, H01L 21/205
C23C 16/50
, G03G 5/08 105
, H01L 21/205
