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J-GLOBAL ID：200903009447730092

フォトレジストパターン形成方法

Inventor： 佐藤 康弘
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994016763
Publication number (International publication number)：1995226362
Application date： Feb. 10, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、自由度の高いマスクを用いて、マスクの変更が容易で且つ微細なパターンを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、位相シフトマスク等で露光領域全面にラインもしくは格子状のパターンのみを転写するマスクM1を作製し、そのラインもしくは格子を基準として、必要な部分のみを重ねて露光し、解像させる為のマスクM2を作製し、これらマスクを用いて重ね合わせてフォトレジスト上に所定のパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

フォトレジスト上に異なる複数のパターンを露光し、それらのパターンの合成によってレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成方法であって、露光するパターンのうちの一つを露光領域全面に同じ周期を持った周期的に配列されたパターンとして露光し、このパターンを基準として必要な部分のみを重ね合わせて、解像させるために、所望のパターン形状に応じて作成されたマスクを用意し、このマスクを用いてパターンを重ね合わせて露光することを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 528