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J-GLOBAL ID：200903009461276795
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992270052
Publication number (International publication number)：1994120354
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】ニューラルネットワークを構成する配線相互間を結合する可塑抵抗用のMOSトランジスタの占有面積を縮小する。【構成】第1配線用N+ 型ポリシリコン3と第2配線用N+ 型ポリシリコン5との交差する部分に孔が設けられ、この孔に両配線を接続する縦型MOSトランジスタが形成される。このトランジスタのソース,ドレイン領域はN+ 型ポリシリコン7aからなり、一方のN+ 型ポリシリコン7aは第1配線用N+ 型ポリシリコン3に接続され、他方のN+ 型ポリシリコン7aは第2配線用N+ 型ポリシリコン5に接続される。このトランジスタのチャネル領域は、第1配線用N+ 型ポリシリコン3と第2配線用N+ 型ポリシリコン5との間のシリコン酸化膜4を選択的に等方性エッチングして形成されたこの孔の露出面に形成されたノンドープポリシリコン7bからなる。
Claim (excerpt)：
少なくとも表面が絶縁材料からなる基板上に設けられた第1の配線と、前記第1の配線を覆い,前記基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の配線と交差し,前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の配線と、前記第2の配線を覆い,前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜および前記第1の絶縁膜を貫通し,少なくとも前記第2の配線並びに前記第1の配線に露出面を有し,前記第1の絶縁膜における口径が前記第2の絶縁膜並びに前記第2の配線の前記露出面の部分における口径より広い口径を有し,前記第1の配線と前記第2の配線とが交差する部分,もしくは前記交差する部分に隣接する位置に設けられた孔と、ソース,ドレイン領域の一方が前記第1の配線と接続し、ソース,ドレン領域の他方が前記第2の配線と接続し、前記孔に埋設された姿態を有して設けられたMOSトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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