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J-GLOBAL ID:200903009471456287

高温超伝導構成要素を無視できる程度の臨界電流の低下で接合する方法および同方法による製造物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 秀策
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001500348
Publication number (International publication number):2003501782
Application date: Jun. 02, 2000
Publication date: Jan. 14, 2003
Summary:
【要約】臨界電流の低下を最小化しながら、高温超伝導構成要素を接合する方法が提供される。形成物は、上記高温超伝導構成要素の臨界電流の少なくとも80%の臨界電流を有する。本発明は、スプライシングジオメトリをさらに提供する。上記スプライシングジオメトリは、臨界電流の低下を最小化し、かつ、接合された構成要素に捩れまたは撓みを起こすことなく、上記接合された構成要素をマンドレル、チューブ等の周囲に巻き付ける工程を容易化する。
Claim (excerpt):
第1の端部および第2の端部を有する第1の高温超伝導構成要素と、 第1の半田材料の層であって、該半田層の一部は、該第1の高温超伝導構成要素の少なくとも一部に取り付けられる、第1の半田材料の層と、 第1の端部および第2の端部を有する第2の高温超伝導構成要素であって、該第2の高温超伝導構成要素の少なくとも一部は、該半田層の一部に取り付けられる、第2の高温超伝導構成要素と、 該第1の高温超伝導構成要素および該第2の高温超伝導構成要素に接続された少なくとも1つの保護層と、を備える高温超伝導物であって、 該半田材料に取り付けられた該第1の高温超伝導構成要素の該一部と、該半田材料に取り付けられた該第2の高温超伝導構成要素の該一部とは、該第1の高温超伝導構成要素および該第2の高温超伝導構成要素の臨界電流のうち小さい方の臨界電流の少なくとも80%を有するオーバーラップ部を形成し、該オーバーラップ部の臨界電流は、該オーバーラップ部の長さの少なくとも100倍の物の長さにわたって測定され、臨界電流は1μV/cmを基準にして判定される、高温超伝導物。
IPC (2):
H01B 13/00 565 ,  H01L 39/02 ZAA
FI (2):
H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/02 ZAA Z
F-Term (7):
4M114AA10 ,  4M114AA29 ,  4M114BB10 ,  5G321AA01 ,  5G321BA01 ,  5G321BA06 ,  5G321DA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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