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J-GLOBAL ID：200903009471928561
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995274283
Publication number (International publication number)：1997116163
Application date： Oct. 23, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 能動素子としての性能(応答速度及びキャリア移動度等)を実用レベルに到達させることを課題とする。【解決手段】 活性層15が有機半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、該有機半導体が基板面に沿った方向に成長した複数の繊維状組織15aの集合した構造からなり、かつ、該複数の繊維状組織15aの主鎖が各々、ソース電極14a及びドレイン電極14bを結ぶ直線に対して垂直方向に配向したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に有機半導体からなる活性層と活性層の両側にソース電極及びドレイン電極とを有し、該有機半導体が、基板面に沿った方向に成長した複数の繊維状組織が集合した構造を有し、かつ、複数の繊維状組織の主鎖が、各々ソース電極及びドレイン電極を結ぶ直線に対して垂直方向に配向していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
