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J-GLOBAL ID：200903009476880400

チップ・キャリア・モジュール及びその生成方法

Inventor： トーマス・モラン・カルネーン ,  マイケル・アンソニー・ゲインズ ,  ピング・ウォング・セト ,  ハサイン・シャウカツルア
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995151376
Publication number (International publication number)：1996031995
Application date： Jun. 19, 1995
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 フリップ・チップからの放熱効率を改善することにより、信頼性の向上と消費電力の増大によって、高密度素子を実現できる方法を提供する。【構成】 Alまたは銅のヒートシンク118が弾力性エポキシ120を用いてセラミック・キャップ100または露出半導体チップ102に取付けられて放熱性能が改善される。Alは陽極酸化膜かクロム酸塩変換により、また銅はニッケルにより被覆される。かかる構造は可撓性または硬質の有機材回路基板へのフリップ・チップの取着けや、CQFP,CBGAその他のチップキャリア・パッケージの形成に有用である。これらの接着剤は-40°C〜140°Cで300回の熱サイクル試験に耐え、また130°Cで1000時間連続露出しても強度低下しない。エポキシは105psi以下の弾性率と25°C以下のガラス転移点を有し、非常に強力でモジュールや基板を汚染せず、ダイと放熱器金属間の熱膨張率を持つ。

Claim (excerpt)：

チップ・キャリア・モジュールを生成する方法であって、半導体チップの第1の表面を有機基板に電気的に接続するステップと、完全に硬化されていない弾力性エポキシを、前記半導体チップの第2の表面と放熱器との間に付着するステップと、前記放熱器及び前記チップを一緒に加圧するステップと、前記弾力性エポキシを硬化するために加熱するステップと、を含む、方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-123442
  
• 特開平2-173056
  
• 特開昭49-025039
  
• 特開昭49-114641
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-102230   Applicant：新日本製鐵株式会社