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J-GLOBAL ID：200903009482790014

X線マスク及び製造方法

Inventor： スコット・アラン・エステス ,  トーマス・ベンジャミン・フォール ,  スティーブン・クレイグ・ナッシュ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144528
Publication number (International publication number)：1994112109
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 集積回路のX線リソグラフィ用の金マスクを形成する電気被着プロセスを提供する。【構成】 プロセスは、(a)リットル当たり6グラム乃至9グラムの金と、リットル当たり8mg乃至30mgの亜ヒ酸塩を含む溶液に基板を漬けるステップと、(b)金10の電気被着を誘発するために、電流密度がcm2 当たり1mA乃至5mAの電流を溶液に流すステップとから成る。【効果】 粒子サイズとヒ素含有量が精密に制御された金層が形成されて、金層の応力が最小になり、したがってマスクから作られるフィーチャのひずみも最小になる。

Claim (excerpt)：

(a)金イオンと亜ヒ酸イオンの両方を含み、金がリットル当たり6グラム乃至9グラム、亜ヒ酸塩がリットル当たり約8mg乃至約30mgの溶液に、表面に上記溶液と接触する導電部を有する基板を漬けるステップと、(b)上記基板の上記導電部に金を電気被着させるために、電流密度が上記導電部の表面のcm2 当たり1mA乃至5mAの電流を上記導電部と上記溶液に流すステップとを含む、X線マスクの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-155618
  
• 特公昭63-053276